Obirch（光束誘導(dǎo)電阻變化）與EMMI微光顯微鏡是同一設(shè)備的不同工作模式。當金屬覆蓋區(qū)域存在熱點時，Obirch（光束誘導(dǎo)電阻變化）同樣能夠?qū)崿F(xiàn)有效檢測。兩種模式均支持正面與背面的失效定位，可在大范圍內(nèi)快速且精確地鎖定集成電路中的微小缺陷點。結(jié)合后續(xù)的去層處理、掃描電鏡（SEM）分析及光學(xué)顯微鏡觀察，可對缺陷進行明確界定，進一步揭示失效機理并開展根因分析。因此，這兩種模式在器件及集成電路的失效分析領(lǐng)域得到了深入的應(yīng)用。
技術(shù)員依靠圖像快速判斷。高分辨率微光顯微鏡成像

致晟光電的EMMI微光顯微鏡依托公司在微弱光信號處理領(lǐng)域技術(shù)，將半導(dǎo)體器件在通電狀態(tài)下產(chǎn)生的極低強度光信號捕捉并成像。當器件內(nèi)部存在PN結(jié)擊穿、漏電通道、金屬遷移等缺陷時，會釋放特定波長的光子。致晟光電通過高靈敏度InGaAs探測器、低噪聲光學(xué)系統(tǒng)與自研信號放大算法，實現(xiàn)了對納瓦級光信號的高信噪比捕捉。該技術(shù)無需破壞樣品，即可完成非接觸式檢測，尤其適合3D封裝、先進制程芯片的缺陷定位。憑借南京理工大學(xué)科研力量支持，公司在探測靈敏度、數(shù)據(jù)處理速度、圖像質(zhì)量等方面，幫助客戶更快完成失效分析與良率優(yōu)化。自銷微光顯微鏡功能微光顯微鏡降低了分析周期成本，加速問題閉環(huán)解決。

微光紅外顯微儀是一種高靈敏度的失效分析設(shè)備，可在非破壞性條件下，對封裝器件及芯片的多種失效模式進行精細檢測與定位。其應(yīng)用范圍涵蓋：芯片封裝打線缺陷及內(nèi)部線路短路、介電層（Oxide）漏電、晶體管和二極管漏電、TFT LCD面板及PCB/PCBA金屬線路缺陷與短路、ESD閉鎖效應(yīng)、3D封裝（Stacked Die）失效點深度（Z軸）預(yù)估、低阻抗短路（＜10 Ω）問題分析，以及芯片鍵合對準精度檢測。相比傳統(tǒng)方法，微光紅外顯微儀無需繁瑣的去層處理，能夠通過檢測器捕捉異常輻射信號，快速鎖定缺陷位置，大幅縮短分析時間，降低樣品損傷風(fēng)險，為半導(dǎo)體封裝測試、產(chǎn)品質(zhì)量控制及研發(fā)優(yōu)化提供高效可靠的技術(shù)手段。

在利用顯微鏡發(fā)光技術(shù)對柵氧化層缺陷進行定位的失效分析中，薄氧化層的擊穿現(xiàn)象尤為關(guān)鍵。然而，當多晶硅與阱區(qū)的摻雜類型一致時，擊穿過程未必伴隨空間電荷區(qū)的形成，這使其發(fā)光機制更具復(fù)雜性。具體而言，當局部電流密度升高至一定閾值，會在失效區(qū)域形成明顯的電壓降，進而激發(fā)載流子在高場環(huán)境下發(fā)生散射發(fā)光，即產(chǎn)生光發(fā)射現(xiàn)象。這種發(fā)光通常位于顯微鏡檢測波段范圍內(nèi)，能夠被高靈敏度探測器捕捉。值得注意的是，部分發(fā)光點存在不穩(wěn)定性，可能在觀察過程中逐漸減弱甚至消失。這一現(xiàn)象的原因在于，局部電流密度持續(xù)升高可能導(dǎo)致?lián)舸﹨^(qū)域發(fā)生微熔化，使局部結(jié)構(gòu)損傷進一步擴大，形成更大面積的導(dǎo)電通道，電流密度因而下降，從而抑制了繼續(xù)發(fā)光的能力。故障類型與位置被快速識別。

Thermal和EMMI是半導(dǎo)體失效分析中常用的兩種定位技術(shù)，主要區(qū)別在于信號來源和應(yīng)用場景不同。Thermal（熱紅外顯微鏡）通過紅外成像捕捉芯片局部發(fā)熱區(qū)域，適用于分析短路、功耗異常等因電流集中引發(fā)溫升的失效現(xiàn)象，響應(yīng)快、直觀性強。而EMMI（微光顯微鏡）則依賴芯片在失效狀態(tài)下產(chǎn)生的微弱自發(fā)光信號進行定位，尤其適用于分析ESD擊穿、漏電等低功耗器件中的電性缺陷。相較之下，Thermal更適合熱量明顯的故障場景，而EMMI則在熱信號不明顯但存在異常電性行為時更具優(yōu)勢。實際分析中，兩者常被集成使用，相輔相成，以實現(xiàn)失效點定位和問題判斷。我司設(shè)備以高性價比成為國產(chǎn)化平替選擇。實時成像微光顯微鏡哪家好

微光顯微鏡支持多光譜成像，拓寬了研究維度。高分辨率微光顯微鏡成像

致晟光電微光顯微鏡emmi應(yīng)用領(lǐng)域?qū)τ谑Х治龆?，微光顯微鏡是一種相當有用，且效率極高的分析工具，主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination會放出光子，例如：在PN Junction加偏壓，此時N的電子很容易擴散到P， 而P的空穴也容易擴散至N，然后與P端的空穴做EHP Recombination。 偵測到亮點之情況    會產(chǎn)生亮點的缺陷：1.漏電結(jié)；2.解除毛刺；3.熱電子效應(yīng)；4閂鎖效應(yīng)；5氧化層漏電；6多晶硅須；7襯底損失；8.物理損傷等。高分辨率微光顯微鏡成像