致晟光電研發(fā)的熱紅外顯微鏡配置了性能優(yōu)異的InSb（銦銻）探測(cè)器，能夠在中波紅外波段（3–5 μm）有效捕捉熱輻射信號(hào)。該材料在光電轉(zhuǎn)換方面表現(xiàn)突出，同時(shí)具備極低的本征噪聲。

在制冷條件下，探測(cè)器實(shí)現(xiàn)了納瓦級(jí)的熱靈敏度，并具備20mK以內(nèi)的溫度分辨能力，非常適合高精度、非接觸式的熱成像測(cè)量需求。通過(guò)應(yīng)用于顯微級(jí)熱紅外檢測(cè)系統(tǒng)，該探測(cè)器能夠提升空間分辨率，達(dá)到微米級(jí)別，并保持良好的溫度響應(yīng)線性，從而為半導(dǎo)體器件及微電子系統(tǒng)中的局部發(fā)熱、熱量擴(kuò)散與瞬態(tài)熱現(xiàn)象提供細(xì)致表征。與此同時(shí)，致晟光電在光學(xué)與熱控方面的自主設(shè)計(jì)也發(fā)揮了重要作用。

高數(shù)值孔徑的光學(xué)系統(tǒng)與穩(wěn)定的熱控平臺(tái)相結(jié)合，使InSb探測(cè)器能夠在多物理場(chǎng)耦合的復(fù)雜環(huán)境中實(shí)現(xiàn)高時(shí)空分辨的熱場(chǎng)成像，為電子器件失效機(jī)理研究、電熱效應(yīng)分析及新型材料熱學(xué)性能測(cè)試提供了可靠的工具與支持。 熱紅外顯微鏡利用其高分辨率，觀察半導(dǎo)體制造過(guò)程中的熱工藝缺陷 。紅外光譜熱紅外顯微鏡設(shè)備

熱紅外顯微鏡是半導(dǎo)體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通過(guò)捕捉故障點(diǎn)產(chǎn)生的異常熱輻射，實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現(xiàn)為局部功耗異常，導(dǎo)致微區(qū)溫度升高。顯微熱分布測(cè)試系統(tǒng)結(jié)合熱點(diǎn)鎖定技術(shù)，能夠高效識(shí)別這些區(qū)域。熱點(diǎn)定位是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像方法，通過(guò)調(diào)節(jié)電壓提升分辨率與靈敏度，并借助算法優(yōu)化信噪比。在集成電路（IC）分析中，該技術(shù)廣泛應(yīng)用于定位短路、ESD損傷、缺陷晶體管、二極管失效及閂鎖問(wèn)題等關(guān)鍵故障。紅外光譜熱紅外顯微鏡設(shè)備熱紅外顯微鏡能透過(guò)硅片或封裝材料，對(duì)半導(dǎo)體芯片內(nèi)部熱缺陷進(jìn)行非接觸式檢測(cè)。

對(duì)于3D封裝產(chǎn)品，傳統(tǒng)的失效點(diǎn)定位往往需要采用逐層去層的方法，一層一層地進(jìn)行異常排查與確認(rèn)，不僅耗時(shí)長(zhǎng)、人工成本高，還存在對(duì)樣品造成不可逆損傷的風(fēng)險(xiǎn)。借助Thermal EMMI設(shè)備，可通過(guò)檢測(cè)失效點(diǎn)熱輻射在傳導(dǎo)過(guò)程中的相位差，推算出失效點(diǎn)在3D封裝結(jié)構(gòu)中的深度位置（Z軸方向）。這一方法能夠在不破壞封裝的前提下，快速判斷失效點(diǎn)所在的芯片層級(jí)，實(shí)現(xiàn)高效、精細(xì)的失效定位。如圖7所示，不同深度空間下失效點(diǎn)與相位的關(guān)系為該技術(shù)提供了直觀的參考依據(jù)。

熱紅外顯微鏡（ThermalEMMI）的另一大優(yōu)勢(shì)在于其非接觸式檢測(cè)能力，相較于傳統(tǒng)接觸式方法具有優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng)接觸式檢測(cè)通常需要使用探針直接接觸被測(cè)設(shè)備，這不僅可能因機(jī)械壓力導(dǎo)致芯片焊點(diǎn)形變或線路微損傷，還可能因靜電放電（ESD）對(duì)敏感半導(dǎo)體器件造成破壞，從而引入額外風(fēng)險(xiǎn)和測(cè)量誤差。對(duì)于精密電子元件和高精度設(shè)備而言，這種潛在損傷可能嚴(yán)重影響檢測(cè)結(jié)果的可靠性。

熱紅外顯微鏡通過(guò)捕捉設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中釋放的熱輻射信號(hào)，實(shí)現(xiàn)完全非侵入式的檢測(cè)。這不僅能夠在設(shè)備正常工作狀態(tài)下獲取實(shí)時(shí)熱分布數(shù)據(jù)，還有效避免了接觸帶來(lái)的干擾或損傷，提高了整個(gè)檢測(cè)流程的**性和穩(wěn)定性。工程師可以依靠這些高保真數(shù)據(jù)進(jìn)行精確故障診斷、性能評(píng)估以及早期異常識(shí)別，從而優(yōu)化研發(fā)與生產(chǎn)流程。非接觸式的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，使熱紅外顯微鏡成為半導(dǎo)體芯片、微電子系統(tǒng)及精密印制電路板等電子組件檢測(cè)的理想選擇，為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)提供了更**、高效和可靠的分析手段。 熱紅外顯微鏡可用于研究電子元件在不同環(huán)境下的熱行為 。

隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，Thermal EMMI 技術(shù)正逐步從依賴進(jìn)口轉(zhuǎn)向自主研發(fā)。國(guó)產(chǎn) Thermal EMMI 設(shè)備不僅在探測(cè)靈敏度和分辨率上追平甚至超越部分國(guó)際產(chǎn)品，還在適配本土芯片工藝、降低采購(gòu)和維護(hù)成本方面展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。例如，一些國(guó)產(chǎn)廠商針對(duì)國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)的需求，對(duì)探測(cè)器響應(yīng)波段、樣品臺(tái)尺寸、自動(dòng)化控制系統(tǒng)等進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)，更好地適應(yīng)大批量失效分析任務(wù)。同時(shí)，本土研發(fā)團(tuán)隊(duì)能夠快速迭代軟件算法，如引入 AI 圖像識(shí)別進(jìn)行熱點(diǎn)自動(dòng)標(biāo)注，減少人工判斷誤差。這不僅提升了檢測(cè)效率，也讓 Thermal EMMI 從傳統(tǒng)的“精密實(shí)驗(yàn)室設(shè)備”走向生產(chǎn)線質(zhì)量控制工具，為國(guó)產(chǎn)芯片在全球競(jìng)爭(zhēng)中提供可靠的技術(shù)支撐。熱紅外顯微鏡憑借高靈敏度探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)芯片微米級(jí)紅外熱分布觀察，鎖定異常熱點(diǎn) 。熱紅外顯微鏡規(guī)格尺寸

熱紅外顯微鏡憑借≤0.001℃的溫度分辨率，助力復(fù)雜半導(dǎo)體失效分析 。紅外光譜熱紅外顯微鏡設(shè)備

作為國(guó)內(nèi)少數(shù)掌握 Thermal EMMI 技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)之一，致晟光電在設(shè)備國(guó)產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)落地方面取得了雙重突破。設(shè)備在光路設(shè)計(jì)、探測(cè)器匹配、樣品平臺(tái)穩(wěn)定性等關(guān)鍵環(huán)節(jié)均采用自主方案，確保整機(jī)性能穩(wěn)定且易于維護(hù)。更重要的是，致晟光電深度參與國(guó)內(nèi)封測(cè)廠、晶圓廠及科研機(jī)構(gòu)的失效分析項(xiàng)目，將 Thermal EMMI 不僅用于研發(fā)驗(yàn)證，還延伸至生產(chǎn)線質(zhì)量監(jiān)控和來(lái)料檢測(cè)。這種從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)線的轉(zhuǎn)變，意味著 Thermal EMMI 不再只是少數(shù)工程師的“顯微鏡”，而是成為支撐國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)質(zhì)量提升的重要裝備。通過(guò)持續(xù)優(yōu)化算法、提升檢測(cè)效率，致晟光電正推動(dòng) Thermal EMMI 技術(shù)在國(guó)內(nèi)形成成熟的應(yīng)用生態(tài)，為本土芯片制造保駕護(hù)航。紅外光譜熱紅外顯微鏡設(shè)備