致晟光電在 Thermal EMMI 技術(shù)的基礎(chǔ)上，融合了自主研發(fā)的 實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析技術(shù)（RTTLIT），提升了弱信號(hào)檢測(cè)能力。傳統(tǒng) Thermal EMMI 在處理極低功耗芯片或瞬態(tài)缺陷時(shí)，容易受到環(huán)境熱噪聲干擾，而鎖相技術(shù)可以在特定頻率下同步提取信號(hào)，將信噪比提升數(shù)倍，從而捕捉到更細(xì)微的發(fā)熱變化。這種技術(shù)組合不僅保留了 Thermal EMMI 的非接觸、無(wú)損檢測(cè)優(yōu)勢(shì)，還大幅拓寬了其應(yīng)用場(chǎng)景——從傳統(tǒng)的短路、漏電缺陷分析，延伸到納瓦級(jí)功耗的功耗芯片、電源管理芯片以及新型傳感器的可靠性驗(yàn)證。通過(guò)這一技術(shù)，致晟光電能夠?yàn)榭蛻籼峁└?、更快速的失效定位方案，減少剖片次數(shù)，降低分析成本，并提高產(chǎn)品開發(fā)迭代效率。熱紅外顯微鏡助力科研人員研究新型材料的熱穩(wěn)定性與熱性能 。高分辨率熱紅外顯微鏡廠家電話

對(duì)于3D封裝產(chǎn)品，傳統(tǒng)的失效點(diǎn)定位往往需要采用逐層去層的方法，一層一層地進(jìn)行異常排查與確認(rèn)，不僅耗時(shí)長(zhǎng)、人工成本高，還存在對(duì)樣品造成不可逆損傷的風(fēng)險(xiǎn)。借助Thermal EMMI設(shè)備，可通過(guò)檢測(cè)失效點(diǎn)熱輻射在傳導(dǎo)過(guò)程中的相位差，推算出失效點(diǎn)在3D封裝結(jié)構(gòu)中的深度位置（Z軸方向）。這一方法能夠在不破壞封裝的前提下，快速判斷失效點(diǎn)所在的芯片層級(jí)，實(shí)現(xiàn)高效、精細(xì)的失效定位。如圖7所示，不同深度空間下失效點(diǎn)與相位的關(guān)系為該技術(shù)提供了直觀的參考依據(jù)。高分辨率熱紅外顯微鏡廠家電話熱紅外顯微鏡對(duì)電子元件進(jìn)行無(wú)損熱檢測(cè)，保障元件完整性 。

在半導(dǎo)體 IC 裸芯片研究與檢測(cè)中，熱紅外顯微鏡是一項(xiàng)重要工具。裸芯片結(jié)構(gòu)緊湊、集成度高，即便出現(xiàn)輕微熱異常，也可能影響性能甚至導(dǎo)致失效，因此有效的熱檢測(cè)十分必要。熱紅外顯微鏡以非接觸方式完成熱分布成像，能夠直觀呈現(xiàn)芯片在運(yùn)行中的溫度變化。通過(guò)對(duì)局部熱點(diǎn)的識(shí)別，可發(fā)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)缺陷、電流集中或器件老化等問題，幫助工程師在早期階段進(jìn)行調(diào)整與優(yōu)化。此外，該設(shè)備還能測(cè)量半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)的結(jié)溫，結(jié)溫水平直接關(guān)系到器件的穩(wěn)定性與壽命。依托較高分辨率的成像能力，熱紅外顯微鏡既能提供結(jié)溫的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)，也為散熱方案的制定和芯片性能提升提供了可靠依據(jù)。

Thermal EMMI的制冷技術(shù)不斷升級(jí)，提升了探測(cè)器的靈敏度。探測(cè)器的噪聲水平與其工作溫度密切相關(guān)，溫度越低，噪聲越小，檢測(cè)靈敏度越高。早期的 thermal emmi 多采用液氮制冷，雖能降低溫度，但操作繁瑣且成本較高。如今，斯特林制冷、脈沖管制冷等新型制冷技術(shù)的應(yīng)用，使探測(cè)器可穩(wěn)定工作在更低溫度，且無(wú)需頻繁添加制冷劑，操作更便捷。例如，采用 深制冷技術(shù)的探測(cè)器，能有效降低暗電流噪聲，大幅提升對(duì)微弱光信號(hào)和熱信號(hào)的檢測(cè)能力，使 thermal emmi 能捕捉到更細(xì)微的缺陷信號(hào)。熱紅外顯微鏡可模擬器件實(shí)際工作溫度測(cè)試，為產(chǎn)品性能評(píng)估提供真實(shí)有效數(shù)據(jù)。

熱紅外顯微鏡（ThermalEMMI）的另一大優(yōu)勢(shì)在于其非接觸式檢測(cè)能力，相較于傳統(tǒng)接觸式方法具有優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng)接觸式檢測(cè)通常需要使用探針直接接觸被測(cè)設(shè)備，這不僅可能因機(jī)械壓力導(dǎo)致芯片焊點(diǎn)形變或線路微損傷，還可能因靜電放電（ESD）對(duì)敏感半導(dǎo)體器件造成破壞，從而引入額外風(fēng)險(xiǎn)和測(cè)量誤差。對(duì)于精密電子元件和高精度設(shè)備而言，這種潛在損傷可能嚴(yán)重影響檢測(cè)結(jié)果的可靠性。

熱紅外顯微鏡通過(guò)捕捉設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中釋放的熱輻射信號(hào)，實(shí)現(xiàn)完全非侵入式的檢測(cè)。這不僅能夠在設(shè)備正常工作狀態(tài)下獲取實(shí)時(shí)熱分布數(shù)據(jù)，還有效避免了接觸帶來(lái)的干擾或損傷，提高了整個(gè)檢測(cè)流程的**性和穩(wěn)定性。工程師可以依靠這些高保真數(shù)據(jù)進(jìn)行精確故障診斷、性能評(píng)估以及早期異常識(shí)別，從而優(yōu)化研發(fā)與生產(chǎn)流程。非接觸式的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，使熱紅外顯微鏡成為半導(dǎo)體芯片、微電子系統(tǒng)及精密印制電路板等電子組件檢測(cè)的理想選擇，為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)提供了更**、高效和可靠的分析手段。 檢測(cè) PCB 焊點(diǎn)、芯片鍵合線的接觸電阻異常，避免虛焊導(dǎo)致的瞬態(tài)過(guò)熱。高分辨率熱紅外顯微鏡廠家電話

熱紅外顯微鏡結(jié)合自研算法，對(duì)微弱熱信號(hào)進(jìn)行定位分析，鎖定潛在缺陷 。高分辨率熱紅外顯微鏡廠家電話

Thermal EMMI 的成像效果與探測(cè)波段密切相關(guān)，不同材料的熱輻射峰值波長(zhǎng)有所差異。** Thermal EMMI 系統(tǒng)支持多波段切換，可根據(jù)被測(cè)器件的結(jié)構(gòu)和材料選擇比較好波長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)更高的信噪比和更清晰的缺陷成像。例如，硅基器件在近紅外波段（約 1.1 微米）具有較高透過(guò)率，適合穿透檢測(cè)；而化合物半導(dǎo)體（如 GaN、SiC）則需要在中紅外或長(zhǎng)波紅外波段下進(jìn)行觀測(cè)。通過(guò)靈活的波段適配，Thermal EMMI 能夠覆蓋更***的器件類型，從消費(fèi)電子到汽車電子，再到功率半導(dǎo)體，均可提供穩(wěn)定、精細(xì)的檢測(cè)結(jié)果。高分辨率熱紅外顯微鏡廠家電話